China está decidida a tener sus propios chips avanzados para aplicaciones de inteligencia artificial y aprendizaje profundo. Para lograrlo, el Gobierno chino está respaldando económicamente a varias empresas en la puesta a punto de estos semiconductores. Sin embargo, no solo se conforma con tener sus propios chips para inteligencia artificial, sino que también busca desarrollar sus propias memorias DRAM de alto rendimiento.
Actualmente, China depende de proveedores en Corea del Sur para obtener las memorias DRAM necesarias para sus centros de datos y computación de alto rendimiento. Sin embargo, el Gobierno chino busca reducir esta dependencia, ya que considera que comprometen la seguridad y la información crítica de sus redes y cadena de suministro. Por lo tanto, necesita que sus fabricantes de semiconductores sean capaces de producir memorias DRAM de alto rendimiento.
El principal fabricante chino de chips DRAM, ChangXin Memory Technologies, se encuentra en desarrollo de su propia versión de las memorias HBM, un tipo de memoria DRAM empleada con frecuencia en aplicaciones de inteligencia artificial generativa. Sin embargo, se prevé que tarde hasta cuatro años en completar el desarrollo de estas memorias. Esto se debe a que, aunque no se requieren litografías de vanguardia para fabricar chips DRAM de alto rendimiento, se necesita tener técnicas de empaquetado muy depuradas.
En resumen, China busca desarrollar sus propias memorias DRAM de alto rendimiento para reducir su dependencia de proveedores extranjeros. El principal fabricante chino de chips DRAM, ChangXin Memory Technologies, está trabajando en el desarrollo de estas memorias, que se espera que estén listas en cuatro años.
Fuentes: SCMP
